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Igbt Application Engineer

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Randstad

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地点:
China, Shanghai

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类别:
制造业

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合同类型:
雇佣合同

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薪资:

400000.00 - 600000.00 CNY / 年
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申请职位

职位描述:

半导体新秀,总部位于上海临港新片区,聚焦汽车及新能源功率半导体,主攻MOSFET、IGBT、SiC等车规级产品研发与制造;团队核心成员来自国际顶尖车规半导体企业,具备10-20年经验,并覆盖晶圆设计、模块开发、封测工艺及质量管理

职位职责:

负责IGBT/MOSFET/SiC等功率器件的应用方案设计、技术支持和失效分析;搭建测试平台评估产品性能;撰写技术文档并参与产品定义;提供客户端咨询、培训及现场指导

要求:

本科及以上学历,电气/微电子专业;3年以上功率半导体应用经验;熟悉IGBT/MOSFET特性及系统级测试;具备车规模块或光伏/储能系统设计经验;掌握器件仿真、热测试及AECQ标准;沟通能力强,英语书面表达流畅

加分项:

熟悉器件仿真、热测试及AECQ标准;沟通能力强;英语书面表达流畅

附加信息:

职位发布:
2025年4月23日

到期:
2025年6月23日

雇佣类型:
全职
工作类型:
现场工作
职位链接分享:
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