SiC power device design senior engineer, Randstad

Randstad

勤務地:
Japan, Osaka

カテゴリー:
IT - ソフトウェア開発

契約形態:
未提供

給与:

8000000.00 - 20000000.00 JPY / 年

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仕事内容:

高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD)のデザイン開発とテスト検証を担当し、プロセスチームと協力してデバイス加工とプロセスの最適化を行う。高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD)の個別技術をフォローアップし、既存のデバイスの性能を向上させ、パテントポートフォリオを提案して実現させる。

業務内容:

高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD)のデザイン開発とテスト検証を担当し、プロセスチームと協力してデバイス加工とプロセスの最適化を行う
高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD)の個別技術をフォローアップし、既存のデバイスの性能を向上させ、パテントポートフォリオを提案して実現させる

応募資格:

半導体/電子/物理などの関連分野を専攻し、5年以上のパワーデバイスのデザイン開発経験(直近の3年間には関連のデザイン開発の従事が必須)、または優秀な博士課程の新卒者
パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD)の基本構造とデバイスシミュレーションデザイン方法に精通し、TCADソフトやレイアウトソフトを使用しデバイスデザインが得意な方
良好なコミュニケーション能力があり、異なる地域や異なる文化背景のチームと良好なコミュニケーションがとれる方

待遇:

健康保険
厚生年金保険
雇用保険
土曜日
日曜日
祝日

追加情報:

求人掲載日:
2025年5月05日

有効期限:
2025年8月08日

雇用形態:

フルタイム

職種:

現場勤務

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SiC power device design senior engineer

Randstad

勤務地:Japan, Osaka

カテゴリー:IT - ソフトウェア開発

契約形態:未提供

給与: