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基板切断&研磨プロセス専門家

Randstad

勤務地:
Japan, 東京23区, 東京都

カテゴリー:
IT - ソフトウェア開発

契約形態:
未提供

給与:

9000000.00 - 15000000.00 JPY / 年

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仕事内容:

革新とテクノロジーのリーダーであり、グローバルな視点から高品質な製品とサービスを提供しています。日本市場においても、社員の成長を重視したダイナミックな職場環境を築いており、持続可能な未来を目指しています。

業務内容:

SiC/パワーデバイス基板の切断&研磨プロセスの開発とプロジェクトの推進に関する業務を担当する
パワーデバイスチップ製造プロセスの開発、基板切断&研磨モジュールの開発を主導し、製品の品質問題をタイムリーに解決し、製品の順調な生産を守る
工程のテープアウトの状況をタイムリーにフォローアップし、エンジニアリングバッチのプロセスデータを分析・まとめ、関連する工程技術問題に対処する
製品の信頼性に関する知識を理解し、製品の信頼性に関する実験方法を習得し、製品の信頼性に関する評価を行う
製品の歩留まりの向上を担当し、責任範囲内の重大な異常問題に取り組む

応募資格:

半導体量産工場でのSiCパワーデバイス製造におけるSiCウェハー基板加工関連プロセス（インゴット処理、インゴットスライシング、ウェハー研磨と洗浄）の開発と導入など5年以上の経験
課長以上（次長、部長）の経験、または主任研究員以上（主席研究員、フェロー）などの技術職の経験

歓迎条件:

ビジネス英語、またはTOEIC600点以上あれば尚可
歓迎：海外勤務や出張が可能な方
半導体製造ウェハー基板プロセス（インゴット処理、インゴットスライシング、ウェハー研磨、ウェハー洗浄など）について深く理解し
業界の設備サプライヤーの装置に精通し、その設計構造を理解している
新人育成ができ、チームを率いて予定されている業務を実行できる
パワー半導体デバイスのプロセスフロー、製造プロセス及び関連するプロセス原理に精通している

待遇:

健康保険
厚生年金保険
雇用保険
土曜日
日曜日
祝日

追加情報:

求人掲載日:
2025年5月05日

有効期限:
2025年10月31日

雇用形態:

フルタイム

職種:

現場勤務

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